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      Circuitos integrados estándar componentes electrónicos Bom list servicio RF Mosfet Transistor BLF178P

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      Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      BLF178P
      Tipo
      IGBT Transistor
      Marca
      original
      Tipo de paquete
      Otros

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Montaje en superficie
      Descripción
      Transistor de Igbt
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      -
      Tipo
      Componentes electrónicos
      Temperatura de funcionamiento
      -, 150 °C (TJ)
      Serie
      Estándar
      d/c
      23 +
      Tipo de Proveedor
      Agencia, ODM, Fabricante Original, Minorista
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      -
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      -
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      -
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -, 400mV @ 50mA, 1A
      Corriente de colector de corte (Max)
      -, 100nA (ICBO)
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -, 100 @ 100mA, 2V
      Poder-Max
      -, 1W
      -Frecuencia de transición
      -, 150MHz
      Resistencia Base (R1)
      -
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -
      FET tipo
      -
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      -
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      -
      Rds (Max) @ Id Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      -
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      -
      Frecuencia
      -
      Corriente nominal (en amperios)
      -
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      -
      -Tensión nominal
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT de
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      De entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      -
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Resistencia-On (RDS)
      -
      Tensión
      -
      Tensión de salida-salida
      -
      -Tensión Offset (Vt)
      -
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -
      Corriente de Valle Iv)
      -
      Corriente de pico
      -
      Aplicaciones
      -
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