Tipo de montaje
Montaje en superficie
Descripción
P-CH MOSFET 8V 5.8A SOT23-3
Lugar del origen
Texas, United States
PAQUETE/cubierta
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo
MOSFETs FETs individuales
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Uso
P-CH MOSFET 8V 5.8A SOT23-3
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
-Frecuencia de transición
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET característica
MOSFET (óxido de metal)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
8 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
5.8A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
35mOhm @ 4.4A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
NC 30 @ 8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
960 pF @ 4 V
Corriente nominal (en amperios)
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Tensión de salida-salida
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Aplicaciones
P-CH MOSFET 8V 5.8A SOT23-3
Disipación de potencia (Max)
960mW (Ta), 1,7 W (Tc)
Paquete
Cinta y carrete (TR), corte la cinta (CT), Digi-carrete
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
1,8 V, 4,5 V
Estado del producto
Activo
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Paquete/caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3