Tipo de montaje
Through Hole
Descripción
IGBT Transistors
PAQUETE/cubierta
-TO-247-3
Temperatura de funcionamiento
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Tipo de Proveedor
Fabricante Original
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
600 V
Tipo de Montaje
A través del orificio
Aplicaciones
Industry, Electricity, Transportation, Medical
Power dissipation
290,000 mW
Reverse recovery time
45 ns
Power dissipation(Max)
290 W
Continuous collector current at 25 C
80 A