Uso
Field effect MOS transistor
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista, Other
Referencia cruzada
FQA9N90, FHA9N90, 9N90, 2SK2611
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Other
品名
MOSFET NPN 900V 9A TO-3P
Corriente de colector (Ic) (máx.)
9A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
900V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
9A900V
Corriente de colector de corte (Max)
9A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
9A900V
-Frecuencia de transición
high frequency
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 175°C
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
9A900V
Resistencia-emisor Base (R2)
9A900V
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
900V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
9A
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
900V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
9A900V
Corriente nominal (en amperios)
9A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
900V
Configuración
Tres nivel inversor IGBT FET
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
9A900V
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
9A900V
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
900V
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
9A
Corriente de drenaje (Id).
9A
-Tensión de corte (VGS) @ Id
9A900V
Resistencia-On (RDS)
9A900V
Tensión de salida-salida
900V
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
9A