Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista, Other
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Other
Tipo de diodo
Rectifier diode
-Tensión de pico inversa (Max)
400V
Actual promedio rectificado (Io)
1A
-Tensión (Vf) (Max) @ si
400V
Corriente de fuga inversa Vr
400V
Temperatura de funcionamiento
-55TO+175
Configuración de diodo
silicon wafer
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
400V
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
1A
Velocidad
De pequeña señal = <200mA (Io) Velocidad
Tiempo de recuperación inverso (V)
fast
Disipación de potencia (Max)
1A400V
Capacitancia relación
1A00V
Capacitancia relación condición
1A400V
Configuración
silicon wafer
-Tensión Zener (Nom) (Vz)
400v
Impedancia (Max) (Zzt)
1a400v