STGW60H65DFB IGBT 650V 80A 375W TO-247 GW60H65DFB

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

STGW60H65DFB

Tipo

MOSFET

Marca

original brand

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Otros atributos

Tipo de montaje

A través del agujero

Descripción

Transistor

Lugar del origen

California, United States

PAQUETE/cubierta

TO-220-3

Tipo

Transistor del triodo

Número de parte

STGW60H65DFB

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Potencia máxima

Por 375W

Energía de conmutación

1.09mJ (encendido), 626uJ (apagado)

Tipo de entrada

Estándar

Carga de la puerta

306nC

Td (encendido/apagado) @ 25 °C

51ns/160ns

Condición de la prueba

400V, 60A, 5 Ohm, 15V

Tiempo de recuperación inversa (TRR)

60ns

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 10000	> 10000
Hora del Est.(días)	5	Para negociar

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