Lugar del origen
Guangdong, China
Categoría de producto:
Transistores RF MOSFET
Polaridad del transistor:
Canal N
Id-Corriente de drenaje continuo:
1 A
Vds-voltaje de la avería de la Drenaje-Fuente:
20 V
Frecuencia de funcionamiento:
520 MHz
Potencia de salida:
630 mW
Tipo:
MOSFET de potencia RF
Pd-Disipación de energía:
3 W
Voltaje DE LA VGs-puerta-Fuente:
10 V