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PJQ4410P_R2_00001 Original Discrete Semiconductor Products Transistors FETs Single FETs MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

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ShenZhen Nova Semiconductor Co., LtdProveedor de marca propia15 yrsCN
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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
PJQ4410P_R2_00001
Tipo
Discrete Semiconductor Products
Marca
Original
Tipo de paquete
-

Otros atributos

Tipo de montaje
Surface Mount
Descripción
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
-
Tipo
Transistors
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
PJQ4410
d/c
-
Uso
Propósito General
品名
-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
±20V
Tipo IGBT de
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Aplicaciones
-
model number
PJQ4410P_R2_00001
Brand Name
Original Brand
Package
8-PowerVDFN
Type
Thyristors
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Plazo de entrega

Cantidad (piezas)1 - 1000 > 1000
Hora del Est.(días)3Para negociar

Personalizacion

PCBA
Pedido mínimo: 1
SMT
Pedido mínimo: 1
PCB
Pedido mínimo: 1
BOM
Pedido mínimo: 1
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