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Marca original, SI4128DY-T1-GE3

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
SI4128DY-T1-GE3
Tipo
MOSFET
Marca
-
Tipo de paquete
Montaje superficial

Otros atributos

Tipo de montaje
-
Descripción
-
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
8-SOIC
d/c
new
Uso
-
Tipo de Proveedor
Other
品名
MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de Montaje
Montaje superficial
FET tipo
N-channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
10.9A(Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
24 mOhm @ 7.8A,10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
435 pF @ 15 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V,10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de Transistor
-

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>= 10 piezas
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