Los medios disponibles
Otros
Corriente de colector (Ic) (máx.)
17
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
600 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Estándar
Corriente de colector de corte (Max)
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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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-Frecuencia de transición
30MHz
Temperatura de funcionamiento
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET característica
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Tensión de drenador a fuente (Vdss)
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Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
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Rds (Max) @ Id Vgs
Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
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La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
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Corriente nominal (en amperios)
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Potencia de salida
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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
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Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
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Corriente de drenaje (Id).
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-Tensión de corte (VGS) @ Id
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Resistencia-On (RDS)
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Tensión de salida-salida
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-Tensión Offset (Vt)
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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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Corriente de Valle Iv)
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Corriente de pico
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Aplicaciones
Equipos electrónicos
Tipo de Transistor:
Transistor Bipolar
Corriente de colector (Ic) (Max):
17
Corriente de colector de corte (Max):
10uA (ICBO)
Ruptura colector-emisor (Max):
600 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:
500mV @ 100mA... 1A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:
10 @ 2A 5V
-Frecuencia de transición:
30MHz
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)