Descripción
Amplificador de potencia transistor chip
Lugar del origen
Guangdong, China
Serie
Amplificador de potencia transistor chip
Uso
Amplificador de potencia Aplicaciones
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, Agencia
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
Corriente de colector (Ic) (máx.)
15A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
250V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
200W
Corriente de colector de corte (Max)
250V
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
250V
-Frecuencia de transición
Estándar
Temperatura de funcionamiento
-65 °C-150 °C
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET característica
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Tensión de drenador a fuente (Vdss)
75V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250ua
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3700pF @ 25V
Corriente nominal (en amperios)
Estándar
Potencia de salida
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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Estándar
Corriente de drenaje (Id).
Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Estándar
Resistencia-On (RDS)
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Tensión de salida-salida
Estándar
-Tensión Offset (Vt)
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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar
Corriente de Valle Iv)
Estándar
Corriente de pico
Estándar
Aplicaciones
Amplificador de potencia Aplicaciones