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      Transistores de montaje en superficie MOSFET originales de canal P 30 V 5A 1,7 W SOT-23-3 de 2, 2, 2, 3, 1, 2, 2, 3

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      Shenzhen Goldeleway Electronics Technology Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad14 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      SI2347DS-T1-GE3
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      VISHAY
      Tipo de paquete
      SMD

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      SMD
      Descripción
      SC-59/SOT-23-3/TO-236-3
      Lugar del origen
      Armenia
      PAQUETE/cubierta
      SMD
      Tipo
      Transistores de montaje en superficie
      Temperatura de funcionamiento
      Estándar
      Serie
      Estándar
      d/c
      21 +
      Uso
      Estándar
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, Otros
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      品名
      Transistores de montaje en superficie
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Estándar
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      Estándar
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Estándar
      Corriente de colector de corte (Max)
      Estándar
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Estándar
      Poder-Max
      Estándar
      -Frecuencia de transición
      Estándar
      Temperatura de funcionamiento
      Standard
      Tipo de Montaje
      Estándar
      Resistencia Base (R1)
      Estándar
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Estándar
      FET tipo
      Estándar
      FET característica
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      Estándar
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Estándar
      Rds (Max) @ Id Vgs
      Estándar
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Estándar
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      Estándar
      Frecuencia
      Estándar
      Corriente nominal (en amperios)
      Estándar
      Ruido
      Estándar
      Potencia de salida
      Estándar
      -Tensión nominal
      Estándar
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Estándar
      Vgs (Max)
      Estándar
      Tipo IGBT de
      Estándar
      Configuración
      Estándar
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar
      De entrada
      Estándar
      Termistor NTC
      Estándar
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Estándar
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Estándar
      Corriente de drenaje (Id).
      Estándar
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar
      Resistencia-On (RDS)
      Estándar
      Tensión
      Estándar
      Tensión de salida-salida
      Estándar
      -Tensión Offset (Vt)
      Estándar
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Estándar
      Corriente de Valle Iv)
      Estándar
      Corriente de pico
      Estándar
      Aplicaciones
      Estándar
      Tipo de Transistor
      Estándar
      Nombre del producto
      MOSFET del modo del aumento del canal
      Paquete
      Caja de tubo Bandeja de carrete
      Estilo
      Transistor
      Calidad
      Bienes originales
      Servicio
      Lista de Bom
      Método de envío
      DHL \ UPS \ Fedex \ TNT \ EMS \ ARAMEX \ HK Post \ por el mar
      Tiempo de entrega
      En el plazo de 3 días laborables

      Embalaje y entrega

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