Lugar del origen
Guangdong, China
Descripción
Circuito integrado original
Categoría
FETs individuales, MOSFETs
Voltaje de drenaje a la fuente (Vdss)
400 V
Tensión de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ Id, Vgs
550mOhm @ 6A, 10V
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Max)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)