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      Nuevo parche de canal P de tubo de efecto de campo MOS original TO-220 2N6399 2N6399G

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      Shenzhen Haozhuo Waring Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      2N6399G
      Tipo
      Single Bipolar Transistors
      Marca
      ON
      Tipo de paquete
      TO-220

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Stud Mount
      Descripción
      mosfet transistor
      Lugar del origen
      Afghanistan
      PAQUETE/cubierta
      /
      Tipo
      MOSFET
      Temperatura de funcionamiento
      /
      Serie
      IRF3205
      d/c
      2022+
      Uso
      /
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM
      Referencia cruzada
      /
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      品名
      Transistor MOSFET
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      /
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      /
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      /
      Corriente de colector de corte (Max)
      /
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      /
      Poder-Max
      /
      -Frecuencia de transición
      /
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      /
      Resistencia-emisor Base (R2)
      /
      FET tipo
      /
      FET característica
      /
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      /
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      /
      Rds (Max) @ Id Vgs
      /
      Vgs (th) (Max) @ Id
      /
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      /
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      /
      Frecuencia
      /
      Corriente nominal (en amperios)
      /
      Ruido
      /
      Potencia de salida
      /
      -Tensión nominal
      /
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      /
      Vgs (Max)
      /
      Tipo IGBT de
      /
      Configuración
      /
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      /
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      /
      De entrada
      /
      Termistor NTC
      /
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      /
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      /
      Corriente de drenaje (Id).
      /
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      /
      Resistencia-On (RDS)
      /
      Tensión
      /
      Tensión de salida-salida
      /
      -Tensión Offset (Vt)
      /
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      /
      Corriente de Valle Iv)
      /
      Corriente de pico
      /
      Aplicaciones
      /
      Tipo de Transistor
      N-Channel JFET
      Packing
      Reel Packing

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