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Nuevo original IRF640N 18A MOSFET tubo de efecto de campo TO-220 transistor IRF640NPBF IC Chip componente electrónico de circuito integrado
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
IRF640N
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Otros atributos
Tipo de montaje
Estándar
Descripción
Estándar
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-220
d/c
NUEVO
Uso
Propósito General
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Minorista, Otros
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Estándar
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Estándar
Corriente de colector de corte (Max)
Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Estándar
Poder-Max
Estándar
-Frecuencia de transición
Estándar
Temperatura de funcionamiento
Estándar
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
Estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar
FET tipo
Estándar
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Estándar
Frecuencia
Estándar
Corriente nominal (en amperios)
18A
Ruido
Estándar
-Tensión nominal
200V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Estándar
Vgs (Max)
Estándar
Tipo IGBT de
Estándar
Configuración
EstándarEstándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Estándar
De entrada
Estándar
Termistor NTC
Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Estándar
Corriente de drenaje (Id).
Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Estándar
Resistencia-On (RDS)
Estándar
Tensión
Estándar
Tensión de salida-salida
Estándar
-Tensión Offset (Vt)
Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar
Corriente de Valle Iv)
Estándar
Corriente de pico
Estándar
Aplicaciones
Estándar
Tipo de Transistor
Estándar
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Shenzhen
Pago
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MANERA DE ENVÍO
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Condición
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