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      Transistor mosfet a-220 IRFB4227 IRFB4227PBF, transistor de potencia de efecto de campo MOS, Canal N, nuevo

      5.0(1 review)      1510 vendido(s)#20Los más populares en Transistores Para Mos
      Shenzhen Yunnuo Technology Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad4 yrsCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      IRFB4227PBF
      Tipo
      MOSFET del transistor
      Marca
      IR
      Tipo de paquete
      TO-220

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Superficie
      Descripción
      Estándar
      Lugar del origen
      Afghanistan
      PAQUETE/cubierta
      Estándar
      d/c
      21 +
      Uso
      /
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM
      Referencia cruzada
      /
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
      品名
      Estándar
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Estándar
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      Estándar
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Estándar
      Corriente de colector de corte (Max)
      Estándar
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Estándar
      Poder-Max
      Estándar
      -Frecuencia de transición
      Estándar
      Temperatura de funcionamiento
      Estándar
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Resistencia Base (R1)
      Estándar
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Estándar
      FET tipo
      Estándar
      FET característica
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      Estándar
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Estándar
      Rds (Max) @ Id Vgs
      Estándar
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Estándar
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      Estándar
      Frecuencia
      Estándar
      Corriente nominal (en amperios)
      Estándar
      Ruido
      Estándar
      Potencia de salida
      Estándar
      -Tensión nominal
      Estándar
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Estándar
      Vgs (Max)
      Estándar
      Tipo IGBT de
      Estándar
      Configuración
      Estándar
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar
      De entrada
      Estándar
      Termistor NTC
      Estándar
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Estándar
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Estándar
      Corriente de drenaje (Id).
      Estándar
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar
      Resistencia-On (RDS)
      Estándar
      Tensión
      Estándar
      Tensión de salida-salida
      Estándar
      -Tensión Offset (Vt)
      Estándar
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Estándar
      Corriente de Valle Iv)
      Estándar
      Corriente de pico
      Estándar
      Aplicaciones
      /
      Embalaje
      Embalaje del carrete
      Tipo
      Transistor de efecto de campo
      Envío POR
      DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
      Pago
      T/T
      Garantía
      90 días
      TIEMPO DE PLOMO
      1-3 días
      Calidad
      100% original 100% marca
      MOQ
      10 piezas
      Precio
      Más bajo
      Proveedor
      Tecnología Co del yunuo de Shenzhen

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      Unidades de venta:
      Un solo artículo
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      25X14X4 cm
      Peso bruto único:
      0.030 kg
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      Cantidad (piezas)1 - 1011 - 100101 - 1000 > 1000
      Hora del Est.(días)333Para negociar
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