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      NTHD3102CT1G Chip IC original al por mayor Parte IC NTHD3102CT1G

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      Allelco Limited1 yrCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      NTHD3102CT1G
      Tipo
      Transistores-FET, MOSFETs-Arreglos
      Marca
      Standard
      Tipo de paquete
      Montaje en superficie

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Montaje en superficie
      Descripción
      MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      8-SMD, Plomo plano
      Tipo
      --
      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      Serie
      --
      d/c
      --
      Referencia cruzada
      --
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      品名
      --
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      -
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      --
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      --
      Corriente de colector de corte (Max)
      --
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      --
      Poder-Max
      --
      -Frecuencia de transición
      --
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Resistencia Base (R1)
      --
      Resistencia-emisor Base (R2)
      --
      FET tipo
      --
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      --
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      --
      Rds (Max) @ Id Vgs
      --
      Vgs (th) (Max) @ Id
      --
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      --
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      --
      Frecuencia
      --
      Corriente nominal (en amperios)
      --
      Ruido
      --
      Potencia de salida
      --
      -Tensión nominal
      --
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      --
      Vgs (Max)
      --
      Tipo IGBT de
      --
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      --
      De entrada
      --
      Termistor NTC
      --
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      --
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      --
      Corriente de drenaje (Id).
      --
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      --
      Resistencia-On (RDS)
      --
      Tensión
      --
      Tensión de salida-salida
      --
      -Tensión Offset (Vt)
      --
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      --
      Corriente de Valle Iv)
      --
      Corriente de pico
      --
      Aplicaciones
      --
      Tipo de Transistor
      --
      RoHS
      ROHS3 obediente
      Potencia-Max
      1,1 W
      Paquete del dispositivo del proveedor
      ChipFET
      Número de producto base
      NTHD3102
      Tiempo de recuperación inversa (TRR)
      --
      Desglose del emisor colector de voltaje
      --
      Colector de corriente (Ic) (Max)
      --
      Colector de corriente pulsada (Icm)
      --
      Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic
      --
      Condición de la prueba
      --

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      10X10X10 cm
      Peso bruto único:
      50.000 kg
      Mostrar más

      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 50000 > 50000
      Hora del Est.(días)16Para negociar

      Personalizacion

      Personalización en línea

      Otras opciones de personalización

      Logotipo personalizado
      Pedido mínimo: 1000
      Embalaje personalizado
      Pedido mínimo: 1000
      Personalización gráfica
      Pedido mínimo: 1000
      Para más detalles de personalización, enviar mensaje al proveedor

      Descripciones de productos del proveedor

      5 - 499 piezas
      EUR 0.9308
      500 - 2999 piezas
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      EUR 0.3723
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