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Mosfet HC50N06 N-Channel 60V 50A Transistor Mosfet de potencia 50N06
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
50N06 HC50N06
Tipo
MOSFET
Marca
Lendo
Tipo de paquete
TO252
Otros atributos
Tipo de montaje
Standard
Descripción
The The HC50N06 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO252
Tipo
N-Channel MOSFET HC50N06
Temperatura de funcionamiento
-40 - 125℃
Serie
Power Mosfet Transistor
d/c
23+
Uso
Power management
Tipo de Proveedor
Fabricante Original
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
N-Channel 60V 50A Power Mosfet
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Standard
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Standard
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Standard
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de Montaje
Standard
Resistencia Base (R1)
Standard
Resistencia-emisor Base (R2)
Standard
FET tipo
MOSFET
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
50A
Rds (Max) @ Id Vgs
9mΩ
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2-2.5V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Standard
Frecuencia
Standard
Corriente nominal (en amperios)
Standard
Ruido
Standard
Potencia de salida
Standard
-Tensión nominal
Standard
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Standard
Vgs (Max)
Standard
Tipo IGBT de
Standard
Configuración
Standard
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Standard
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Standard
De entrada
Standard
Termistor NTC
Standard
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Standard
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Corriente de drenaje (Id).
Standard
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Standard
Resistencia-On (RDS)
Standard
Tensión
Standard
Tensión de salida-salida
Standard
-Tensión Offset (Vt)
Standard
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Standard
Corriente de Valle Iv)
Standard
Corriente de pico
Standard
Aplicaciones
Standard
Tipo de Transistor
N-Channel
Product Name
HC50N06
package type
TO252
Parameter
N-Channel 60V 50A
Vds Drain-Source Voltage
60V
VGS Gate-Source Voltage
20V
Id max
50A
MPQ
3000 Pcs/reel
Quality
100% Original 100% Brand
Embalaje y entrega
Paquete
CAJA
Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
15.5X15.5X5 cm
Peso bruto único:
0.002 kg
Plazo de entrega
| Cantidad (piezas) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| Hora del Est.(días) | 2 | 3 | Para negociar |
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