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      MRF151 150W 50V 175MHz RF MOSFET RF transistor

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      Shenzhen Genuine Industries Limited1 yrCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      MRF151
      Tipo
      Encapsulado de TRANSISTOR RF
      Marca
      Original
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Estándar
      Descripción
      150W 50V 175MHz RF MOSFET transistor de RF
      Lugar del origen
      Original
      PAQUETE/cubierta
      Metal + cerámica
      Tipo
      Transistor RF MOSFET RF
      Temperatura de funcionamiento
      De 65 a 150 °C
      Serie
      50V dispositivos para frecuencias a 1 GHz
      d/c
      23 +
      Uso
      Alta frecuencia
      Tipo de Proveedor
      ODM, Agencia, Minorista
      品名
      MRF151 150W 50V 175MHz RF MOSFET RF transistor
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Estándar
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      Estándar
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Estándar
      Corriente de colector de corte (Max)
      Estándar
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Estándar
      Poder-Max
      150W
      -Frecuencia de transición
      1-175MHz
      Temperatura de funcionamiento
      -65 to 150°C
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      Estándar
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Estándar
      FET tipo
      MOS
      FET característica
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      125V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      16 A
      Rds (Max) @ Id Vgs
      Estándar
      Vgs (th) (Max) @ Id
      5V
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      350 pF
      Frecuencia
      1-175MHz
      Corriente nominal (en amperios)
      16 A
      Ruido
      Estándar
      Potencia de salida
      150W
      -Tensión nominal
      50V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Estándar
      Vgs (Max)
      5V
      Tipo IGBT de
      Estándar
      Configuración
      Estándar
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar
      De entrada
      Estándar
      Termistor NTC
      Estándar
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      ± 40V
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      5 mA
      Corriente de drenaje (Id).
      16 A
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      125V
      Resistencia-On (RDS)
      Estándar
      Tensión
      Estándar
      Tensión de salida-salida
      Estándar
      -Tensión Offset (Vt)
      Estándar
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Estándar
      Corriente de Valle Iv)
      Estándar
      Corriente de pico
      Estándar
      Aplicaciones
      Estándar
      Tipo de Transistor
      MOSFET del RF

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      15X10X6 cm
      Peso bruto único:
      0.400 kg
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      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 1000 > 1000
      Hora del Est.(días)1Para negociar

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      Embalaje personalizado
      Pedido mínimo: 1000
      Personalización gráfica
      Pedido mínimo: 1000
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