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      M25C22 a 62 de RF transistor de potencia

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      Shenzhen H-Tec Network Technology Co., Ltd.7 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      M25C22
      Tipo
      Encapsulado de TRANSISTOR RF
      Marca
      original
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Lugar del origen
      Japan
      PAQUETE/cubierta
      standard
      d/c
      latest
      Uso
      Alta frecuencia
      Tipo de Proveedor
      Agencia, Minorista
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      品名
      RF power transistor
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      standard
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      standard
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      standard
      Corriente de colector de corte (Max)
      standard
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      standard
      Poder-Max
      standard
      -Frecuencia de transición
      standard
      Temperatura de funcionamiento
      standard
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      standard
      Resistencia-emisor Base (R2)
      standard
      FET tipo
      standard
      FET característica
      GaNFET (de nitruro de galio)
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      standard
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      standard
      Rds (Max) @ Id Vgs
      standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      standard
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      standard
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      standard
      Frecuencia
      standard
      Corriente nominal (en amperios)
      standard
      Ruido
      standard
      Potencia de salida
      standard
      -Tensión nominal
      standard
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      standard
      Vgs (Max)
      standard
      Tipo IGBT de
      standard
      Configuración
      Doble freno de helicóptero
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      standard
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      standard
      De entrada
      standard
      Termistor NTC
      standard
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      standard
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      standard
      Corriente de drenaje (Id).
      standard
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      standard
      Resistencia-On (RDS)
      standard
      Tensión
      standard
      Tensión de salida-salida
      standard
      -Tensión Offset (Vt)
      standard
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      standard
      Corriente de Valle Iv)
      standard
      Corriente de pico
      standard
      Aplicaciones
      PCB
      Type
      Field-Effect Transistor
      Type 1
      mosfet
      Type 4
      RF transistor
      Type 7
      microwave transistor
      Type 3
      RF MOSFET Transistor
      Type 2
      high frequency transistor
      Type 5
      Field Effect Transistors
      Type 6
      transistor
      type 8
      mosfet power amplifiers
      type 9
      transistor mosfet

      Embalaje y entrega

      Paquete
      M25C22 TO-62 RF Power transistor

      Capacidad de suministro

      Capacidad de suministro
      10000 per Day Mosfet M25C22
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      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 1011 - 100101 - 1000 > 1000
      Hora del Est.(días)357Para negociar

      Personalizacion

      Logotipo personalizado
      Pedido mínimo: 10
      Embalaje personalizado
      Pedido mínimo: 10
      Personalización gráfica
      Pedido mínimo: 10
      Para más detalles de personalización, enviar mensaje al proveedor

      Descripciones de productos del proveedor

      5 - 9 piezas
      $50.00
      10 - 49 piezas
      $45.00
      50 - 99 piezas
      $40.00
      >= 100 piezas
      $35.00

      Variaciones

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