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      Precio bajo alta calidad en stock 3DD13009 13009 TRANSISTOR DE POTENCIA NPN DE CONMUTACIÓN RÁPIDA DE ALTO VOLTAJE

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      Shenzhen Qihuawei Tech Co., Ltd.3 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      3DD13009
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      /
      Tipo de paquete
      A través del agujero

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      A través del agujero
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      /
      Tipo
      Transistor
      Temperatura de funcionamiento
      150 °C (TJ)
      d/c
      19 +
      Uso
      Transformación de potencia de alta frecuencia
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM, Agencia
      Referencia cruzada
      E13009L, J13009
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      Otros transistores
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      6 A
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      100V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      1,5 V
      Corriente de colector de corte (Max)
      0,7 mA
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      15
      Poder-Max
      65 W
      -Frecuencia de transición
      3 MHz
      Temperatura de funcionamiento
      --
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Resistencia Base (R1)
      --
      Resistencia-emisor Base (R2)
      --
      FET tipo
      -, Canal N
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      800V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      25A
      Rds (Max) @ Id Vgs
      --
      Vgs (th) (Max) @ Id
      --
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      --
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      --
      Frecuencia
      --
      Corriente nominal (en amperios)
      200mA
      Ruido
      --
      Potencia de salida
      250W
      -Tensión nominal
      40V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      6V
      Vgs (Max)
      --
      Tipo IGBT de
      --
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      --
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      --
      De entrada
      --
      Termistor NTC
      --
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      --
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      --
      Corriente de drenaje (Id).
      --
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      --
      Resistencia-On (RDS)
      --
      Tensión
      --
      Tensión de salida-salida
      --
      -Tensión Offset (Vt)
      --
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      --
      Corriente de Valle Iv)
      --
      Corriente de pico
      --
      Aplicaciones
      --
      Polaridad/Tipo de canal
      NPN
      Categoría
      Transistor
      Número del producto
      Por 3DD13009
      Subcategoría
      Otros transistores
      Descripción detallada
      Transistor de poder del silicio NPN
      Forma del paquete
      RECTANGULAR
      Configuración
      SOLO

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Embalaje sellado de fábrica nuevo y original, se empaquetará en uno de estos tipos de embalaje: tubo, bandeja, cinta y carrete, cinta y caja, embalaje a granel, bolsa, etc.
      Puerto
      shenzhen
      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      15X15X5 cm
      Peso bruto único:
      0.500 kg
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