Tipo de montaje
SMD, Tipo de montaje en superficie
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
SOT-23-3(TO-236)
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C(TJ)
Uso
General de amplificación
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista, Otros
Referencia cruzada
Original
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
品名
Transistor-transistor bipolar (BJT) -Single
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Estándar
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
300mV @ 5mA,50mA
Corriente de colector de corte (Max)
Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Estándar
-Frecuencia de transición
Estándar
Temperatura de funcionamiento
Original
Resistencia Base (R1)
Estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
200 mA
Rds (Max) @ Id Vgs
Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Corriente nominal (en amperios)
A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Tensión de salida-salida
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-