Tipo de montaje
Through Hole
Descripción
laser diode 638 nm
Lugar del origen
Guangdong, China
Tipo de paquete
A través del orificio
PAQUETE/cubierta
customer's demand
Temperatura de funcionamiento
-10-50'c
Uso
medical infrared biological
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista, Other
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Other
-Tensión de pico inversa (Max)
NA
Actual promedio rectificado (Io)
820mA
-Tensión (Vf) (Max) @ si
NA
Corriente de fuga inversa Vr
NA
Temperatura de funcionamiento
-10-50'c
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
NA
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
NA
Tiempo de recuperación inverso (V)
NA
Disipación de potencia (Max)
700mw
Capacitancia relación condición
NA
-Tensión Zener (Nom) (Vz)
NA
Description
Light Emitting Diode