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      Diodo láser de alta calidad KTZP 445nm 1000MW 450 AZUL 1W To-18 5,6mm

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      Shenzhen Ketao Zhengpin Electronics Co., Ltd.2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      445nm1000mw
      Marca
      original brand

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      326764592
      Descripción
      DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70-3
      Tipo
      Estándar
      Lugar del origen
      China
      Tipo de paquete
      Diodo láser
      PAQUETE/cubierta
      SC-70 SOT-323
      Temperatura de funcionamiento
      Otros
      Serie
      Otros
      d/c
      2020 + nuevo
      Uso
      Propósito general
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original
      Referencia cruzada
      /
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      Tensión de paso máx.
      1200V
      Voltaje inverso máx.
      V
      Corriente directa máx.
      1A
      Corriente inversa máx.
      A
      Tipo de diodo
      Estándar
      La tecnología
      Otros
      -Tensión de pico inversa (Max)
      Otros
      Actual promedio rectificado (Io)
      100mA (DC)
      -Tensión (Vf) (Max) @ si
      1,2 V @ 100mA
      Corriente de fuga inversa Vr
      100nA @ 75V
      Temperatura de funcionamiento
      other
      Tipo de Montaje
      326764592
      Configuración de diodo
      1 par de cátodo común
      Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
      14768269
      Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
      100mA (DC)
      Velocidad
      Pequeña señal =< 200mA (Io) cualquier velocidad
      Tiempo de recuperación inverso (V)
      3NS
      Capacitancia Vr F
      Otros
      Corriente máx.
      Otros
      Resistencia @ si F
      Otros
      Disipación de potencia (Max)
      Otros
      Capacitancia relación
      Otros
      Capacitancia relación condición
      Otros
      Q @ Vr F
      160 @ 4V 50MHz
      Configuración
      1 par de cátodo común
      -Tensión Zener (Nom) (Vz)
      Otros
      La tolerancia
      Otros
      Poder-Max
      225mW
      Impedancia (Max) (Zzt)
      Otros
      Tamaño
      TO-18 5,6mm
      Chip principal
      445nm 1000MW
      Producto
      Diodo Láser
      Lugar de origen
      Guangdong China
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