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      Jeking P60NF10 N-channel 100V 80A 300W Transistor STP60NF10

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      Shenzhen Jeking Electronic Corp.Proveedor multi-especialidad9 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      STP60NF10
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      ORIGINAL BRAND
      Tipo de paquete
      -

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      SMD/SMT
      Descripción
      ESTÁNDAR
      Lugar del origen
      California, United States
      PAQUETE/cubierta
      TO-220-3
      d/c
      -
      Uso
      Electrónica
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      5A
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      100V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      4V @ 20mA, 5A
      Corriente de colector de corte (Max)
      500uA
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      1000 @ 3A, 3V
      Poder-Max
      2W
      -Frecuencia de transición
      -
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Resistencia Base (R1)
      -
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -
      FET tipo
      Canal N
      FET característica
      Diodo Schottky (aislado)
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      100V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      80A (Tc)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      23mOhm @ 40A, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      4V @ 250uA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      104nC @ 10V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      4270pF @ 25V
      Frecuencia
      -
      Corriente nominal (en amperios)
      -
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      -
      -Tensión nominal
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      10V
      Vgs (Max)
      ±20V
      Tipo IGBT de
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      De entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      -
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Resistencia-On (RDS)
      -
      Tensión
      -
      Tensión de salida-salida
      -
      -Tensión Offset (Vt)
      -
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -
      Corriente de Valle Iv)
      -
      Corriente de pico
      -
      Aplicaciones
      -
      Número de parte
      STP60NF10
      Rds en (máximo) @ Id, Vgs
      23mOhm @ 40A, 10V
      Vgs (TH) (Max) @ Id
      4V @ 250uA
      Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
      104nC @ 10V
      Vgs (Max)
      ± 20V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
      4270pF @ 25V
      Disipación de potencia (Max)
      300W (Tc)
      Paquete/caso
      TO-220-3
      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      Tecnología
      MOSFET (óxido de metal)

      Embalaje y entrega

      Paquete
      ESD/Vacío/Espuma/Cartones
      Mostrar más

      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 1000 > 1000
      Hora del Est.(días)5Para negociar

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