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      Jeking MOSFET P80PF55 P-CH 55V 80A-220 STP80PF55

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      Shenzhen Jeking Electronic Corp.Proveedor multi-especialidad9 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      STP80PF55
      Tipo
      Transistor
      Marca
      Original Brand
      Tipo de paquete
      Agujero de labranza

      Otros atributos

      Lugar del origen
      Johor, Malaysia
      PAQUETE/cubierta
      TO-220-3
      d/c
      -
      Uso
      -
      Referencia cruzada
      -
      品名
      MOSFET P-CH 55V 80A TO-220
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      -
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      -
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -
      Corriente de colector de corte (Max)
      -
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -
      Poder-Max
      -
      -Frecuencia de transición
      -
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 175°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Resistencia Base (R1)
      -
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -
      FET tipo
      P-Channel
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      55V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      80A (Tc)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      18mOhm @ 40A, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      4V @ 250uA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      258nC @ 10V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      5500pF @ 25V
      Frecuencia
      -
      Corriente nominal (en amperios)
      -
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      -
      -Tensión nominal
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      10V
      Vgs (Max)
      ±16V
      Tipo IGBT de
      -
      Configuración
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      De entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      -
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Resistencia-On (RDS)
      -
      Tensión
      -
      Tensión de salida-salida
      -
      -Tensión Offset (Vt)
      -
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -
      Corriente de Valle Iv)
      -
      Corriente de pico
      -
      Aplicaciones
      -
      Part Number
      STP80PF55
      Description
      MOSFET P-CH 55V 80A TO-220
      FET Type
      P-Channel
      Drain to Source Voltage
      55V
      Current @ 25°C
      80A (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id
      4V @ 250uA
      Gate Charge @ Vgs
      258nC @ 10V
      Input Capacitance @ Vds
      4V @ 250uA
      Power Dissipation (Max)
      300W (Tc)
      Supplier Device Package
      TO-220AB

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Tube
      Puerto
      Hongkong / Shenzhen

      Capacidad de suministro

      Capacidad de suministro
      88000 per Day Standar embalaje
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