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Transistor Mosfet Jeking 24N40F de canal N, FDA24N40F, de la marca, de la marca FDA24N40F
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
FDA24N40F
Tipo
IGBT Transistor
Marca
ORIGINAL BRAND
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Otros atributos
Tipo de montaje
SMD/SMT
Descripción
TRANSISTORES
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
ESTÁNDAR
Uso
Eclectronic
品名
N-CH MOSFET 400V 23A TO-3PN
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
400V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
23A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
190mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250UA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3030pF @ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
± 30V
Número de modelo
FDA24N40F
Tipo
Transistor
Embalaje y entrega
Paquete
Paquete ESD
Plazo de entrega
| Cantidad (piezas) | 1 - 100000 | > 100000 |
| Hora del Est.(días) | 2 | Para negociar |
Personalizacion
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