JAN2N2907A TO-18-3 Transistores semiconductores discretos Transistor bipolar (BJT) PNP 60V 600mA 500 mW Agujero pasante

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Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.

Proveedor multi-especialidad10 yrs

CN

Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen

original

Marca

original

Número de Modelo

JAN2N2907A

Tipo

/

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Maximum DC Collector Current

600 mA

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

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