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Irf3205pbf Irf1404pbf Mosfet, Canal N Original Transistor Irf 3205 3710 Irf3710 Irf1404 Irf3205

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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.Fabricante personalizado4 yrsCN

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
IRF3205PBF
Tipo
Otros
Marca
Origin
Tipo de paquete
TO-220AB

Otros atributos

Tipo de montaje
A través del agujero
Descripción
N-CH MOSFET 40V 202A TO220AB
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-220AB
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Serie
Transistores
d/c
Nuevo
Uso
N/A
Tipo de Proveedor
N/A
Referencia cruzada
N/A
Los medios disponibles
N/A
品名
N/A
Corriente de colector (Ic) (máx.)
N/A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
N/A
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
N/A
Corriente de colector de corte (Max)
N/A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
N/A
Poder-Max
333W (Tc)
-Frecuencia de transición
N/A
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
N/A
Resistencia-emisor Base (R2)
N/A
FET tipo
N/A
FET característica
N/A
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
N/A
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
N/A
Rds (Max) @ Id Vgs
N/A
Vgs (th) (Max) @ Id
N/A
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
N/A
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
N/A
Frecuencia
N/A
Corriente nominal (en amperios)
N/A
Ruido
N/A
Potencia de salida
N/A
-Tensión nominal
N/A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
N/A
Vgs (Max)
N/A
Tipo IGBT de
N/A
Configuración
N/A
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
N/A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
N/A
De entrada
N/A
Termistor NTC
N/A
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
N/A
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
Corriente de drenaje (Id).
N/A
-Tensión de corte (VGS) @ Id
N/A
Resistencia-On (RDS)
N/A
Tensión
N/A
Marca
Original
Garantía
1 año
Tiempo de almacenamiento
3-5day (3-5día)
Dirección de entrega
Shenzhen

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)1 - 1011 - 100 > 100
Hora del Est.(días)12Para negociar

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JP¥299

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