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      Integrated Circuit PD85035-E transistors fets mosfet rf

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      Shenzhen HYST Technology Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad15 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      PD85035-E
      Tipo
      Encapsulado de TRANSISTOR RF
      Marca
      Original manufacturer, The market price of some parts is unstable, The market price of some parts is unstable
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Surface Mount
      Descripción
      transistors fets mosfet rf
      Lugar del origen
      Taiwan, China
      PAQUETE/cubierta
      PowerSO-10RF
      Tipo
      RF FETs MOSFETs
      Temperatura de funcionamiento
      --
      Serie
      -
      d/c
      New Date code
      Uso
      -
      Tipo de Proveedor
      N-Channel
      Referencia cruzada
      -
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      Original manufacturer
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      -standard
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      -standard
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -standard
      Corriente de colector de corte (Max)
      -standard
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -standard
      Poder-Max
      -standard
      -Frecuencia de transición
      870MHz
      Temperatura de funcionamiento
      -standard
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      -standard
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -standard
      FET tipo
      -standard
      FET característica
      -standard
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      -standard
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      -standard
      Rds (Max) @ Id Vgs
      -standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -standard
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      -standard
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      -standard
      Frecuencia
      -standard
      Corriente nominal (en amperios)
      8A
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      15W
      -Tensión nominal
      40 V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      -standard
      Vgs (Max)
      -standard
      Tipo IGBT de
      LDMOS
      Configuración
      -standard
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -standard
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -standard
      De entrada
      -standard
      Termistor NTC
      -standard
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -standard
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -standard
      Corriente de drenaje (Id).
      -standard
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -standard
      Resistencia-On (RDS)
      -standard
      Tensión
      13.6 V
      Tensión de salida-salida
      -standard
      -Tensión Offset (Vt)
      -standard
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -standard
      Corriente de Valle Iv)
      -standard
      Corriente de pico
      -standard
      Aplicaciones
      -
      Tipo de Transistor
      LDMOS
      Service
      One Stop Bom Service
      Supplier
      Electronic Components
      Shipping by
      DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\SFor Other
      Condition
      Original manufacturer
      Lead Free Status
      RoHS Compliant
      Location
      Shenzhen
      Payment
      Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
      MOQ
      1 Pcs
      Warranty
      90 day

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Tape or Reel,Tube,Tray,Box
      The market price of some parts is unstable/
      Please contact us before placing your order
      Puerto
      Shenzhen
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