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      Integrated Circuit MOSFET PSMN3R7-100BSEJ MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

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      Shenzhen HYST Technology Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad15 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      PSMN3R7-100BSEJ
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original manufacturer
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Surface Mount
      Descripción
      PSMN3R7-100BSEJ
      Lugar del origen
      Taiwan, China
      PAQUETE/cubierta
      8-PowerWDFN
      Tipo
      2 N-Channel (Half Bridge)
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C 150°C
      Serie
      -
      d/c
      New Date code
      Uso
      -
      Tipo de Proveedor
      N-Channel
      Referencia cruzada
      -
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      Original manufacturer
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      -standard
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      -standard
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -standard
      Corriente de colector de corte (Max)
      -standard
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -standard
      Poder-Max
      29W, 66W
      -Frecuencia de transición
      -
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C 150°C
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      -standard
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -standard
      FET tipo
      -standard
      FET característica
      -standard
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      30V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      16A
      Rds (Max) @ Id Vgs
      -standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -standard
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      21nC 10V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      790pF 15V
      Frecuencia
      -standard
      Corriente nominal (en amperios)
      -
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      -
      -Tensión nominal
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      -standard
      Vgs (Max)
      2.2V 250uA
      Tipo IGBT de
      -
      Configuración
      -standard
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -standard
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -standard
      De entrada
      -standard
      Termistor NTC
      -standard
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -standard
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -standard
      Corriente de drenaje (Id).
      -standard
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -standard
      Resistencia-On (RDS)
      12mOhm 13.8A, 10V
      Tensión
      -
      Tensión de salida-salida
      -standard
      -Tensión Offset (Vt)
      -standard
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -standard
      Corriente de Valle Iv)
      -standard
      Corriente de pico
      -standard
      Aplicaciones
      -
      Tipo de Transistor
      2 N-Channel (Half Bridge)
      Part Number1
      PSMN3R7-100BSEJ
      Description
      transistors fets mosfets arrays
      Service
      One Stop Bom Service
      Supplier
      Electronic Components
      Shipping by
      DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\SFor Other
      Payment
      Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
      Lead Free Status
      RoHS Compliant
      Warranty
      180 Days

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      kg
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