In Stock Transistors IPB072N15N3G N-Channel 150V 100A TO263-3 Mosfet IPB072N15N3GATMA1

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Shenzhen HYST Technology Co., Ltd.

Proveedor multi-especialidad15 yrs

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

IPB072N15N3GATMA1

Tipo

MOSFET

Marca

Original manufacturer

Tipo de paquete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Otros atributos

Tipo de montaje

Surface Mount

Descripción

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Lugar del origen

Taiwan, China

PAQUETE/cubierta

-standard

Tipo

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Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Serie

OptiMOS 3

d/c

New Date code

Uso

Controlador MOSFET

Tipo de Proveedor

Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista

Referencia cruzada

Los medios disponibles

Hoja de Datos, Foto

品名

Transistors MOSFET Single

Corriente de colector (Ic) (máx.)

-standard

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

-standard

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

-standard

Corriente de colector de corte (Max)

-standard

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

-standard

Poder-Max

-standard

-Frecuencia de transición

-standard

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Resistencia Base (R1)

-standard

Resistencia-emisor Base (R2)

-standard

FET tipo

P-Channel

FET característica

standard -

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

standard

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

standard

Rds (Max) @ Id Vgs

-standard

Vgs (th) (Max) @ Id

-standard

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

-standard

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

-standard

Frecuencia

-standard

Corriente nominal (en amperios)

-standard

Ruido

-standard

Potencia de salida

-standard

-Tensión nominal

-standard

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

-standard

Vgs (Max)

standard

Tipo IGBT de

-standard

Configuración

-standard

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

-standard

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

-standard

De entrada

-standard

Termistor NTC

-standard

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

-standard

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

-standard

Corriente de drenaje (Id).

-standard

-Tensión de corte (VGS) @ Id

-standard

Resistencia-On (RDS)

-standard

Tensión

-standard

Tensión de salida-salida

-standard

-Tensión Offset (Vt)

-standard

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

-standard

Corriente de Valle Iv)

-standard

Corriente de pico

-standard

Aplicaciones

-standard

Lead Free Status

RoHS Compliant

Condition

Original manufacturer

Supplier

Electronic Components

FET Type

N-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss)

150 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 100A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Supplier Device Package

PG-TO263-3-2

Embalaje y entrega

Unidades de venta:

Un solo artículo

Tamaño de paquete único:

XX cm

Peso bruto único:

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 10000	> 10000
Hora del Est.(días)	1	Para negociar

Personalizacion

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Pedido mínimo: 1000

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