In Stock TK25S06N1L Power MOSFET transistor TK25S06N1L LQ

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Shenzhen HYST Technology Co., Ltd.

Proveedor multi-especialidad15 yrs

CN

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

TK25S06N1L LQ

Tipo

MOSFET

Marca

Original manufacturer

Tipo de paquete

Montaje superficial

Otros atributos

Tipo de montaje

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Descripción

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Lugar del origen

Taiwan, China

PAQUETE/cubierta

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Tipo

MOSFET

Temperatura de funcionamiento

-55°C - 175°C

Serie

TK25S06N1L

d/c

New Date code

Uso

Controlador MOSFET

Tipo de Proveedor

Other

Los medios disponibles

Other

品名

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Corriente de colector (Ic) (máx.)

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-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

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Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

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Corriente de colector de corte (Max)

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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

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Poder-Max

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-Frecuencia de transición

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Temperatura de funcionamiento

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Tipo de Montaje

Montaje superficial

Resistencia Base (R1)

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Resistencia-emisor Base (R2)

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FET tipo

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FET característica

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Tensión de drenador a fuente (Vdss)

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Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

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Rds (Max) @ Id Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

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Frecuencia

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Corriente nominal (en amperios)

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Ruido

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Potencia de salida

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-Tensión nominal

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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

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Vgs (Max)

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Tipo IGBT de

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Vce (on) (Max) @ Vge Ic

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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

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De entrada

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Termistor NTC

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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

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Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

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Corriente de drenaje (Id).

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-Tensión de corte (VGS) @ Id

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Resistencia-On (RDS)

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Tensión

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Tensión de salida-salida

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-Tensión Offset (Vt)

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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

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Corriente de Valle Iv)

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Corriente de pico

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Aplicaciones

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Tipo de Transistor

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ICs

resistor

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