Tipo de montaje
Surface Mount
Descripción
MOSFET N-Channel 100V 1A Automotive
Lugar del origen
Taiwan, China
PAQUETE/cubierta
Through Hole
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
Corriente de colector (Ic) (máx.)
standard
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
standard
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
standard
Corriente de colector de corte (Max)
-standard
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-standard
-Frecuencia de transición
-standard
Temperatura de funcionamiento
-standard
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
standard
Resistencia-emisor Base (R2)
standard
FET característica
standard-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-standard
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-standard
Rds (Max) @ Id Vgs
-standard
Vgs (th) (Max) @ Id
-standard
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-standard
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-standard
Corriente nominal (en amperios)
-standard
Potencia de salida
-standard
-Tensión nominal
-standard
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-standard
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-standard
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-standard
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-standard
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-standard
Corriente de drenaje (Id).
-standard
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-standard
Resistencia-On (RDS)
-standard
Tensión de salida-salida
-standard
-Tensión Offset (Vt)
-standard
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-standard
Corriente de Valle Iv)
-standard
Corriente de pico
-standard
Lead Free Status
RoHS Compliant
Condition
Original manufacturer
Supplier
Electronic Components
Base Product Number
RSR010
Number of Channels:
1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance:
520 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:
2.5 V