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      IRLR2905 transistor MOSFET TO-252-2 SMD audio IC para Galaxy Note 2 n7100 IC ss2b003 MOSFET ic

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      Shenzhen Goldeleway Electronics Technology Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad14 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      IRLR2905
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      GOLDELEWAY
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Estándar
      Descripción
      Todo tipo de productos electrónicos
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      TO252-2
      Tipo
      MOSFET
      Temperatura de funcionamiento
      Estándar
      Serie
      Estándar
      d/c
      23 +
      Uso
      Amplificador
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original
      品名
      MOSFET
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Estándar
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      Estándar
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Estándar
      Corriente de colector de corte (Max)
      Estándar
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Estándar
      Poder-Max
      Estándar
      -Frecuencia de transición
      Estándar
      Temperatura de funcionamiento
      standard
      Tipo de Montaje
      standard
      Resistencia Base (R1)
      Estándar
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Estándar
      FET tipo
      Estándar
      FET característica
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      Estándar
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Estándar
      Rds (Max) @ Id Vgs
      Estándar
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Estándar
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      Estándar
      Frecuencia
      Estándar
      Corriente nominal (en amperios)
      Estándar
      Ruido
      Estándar
      Potencia de salida
      Estándar
      -Tensión nominal
      Estándar
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Estándar
      Vgs (Max)
      Estándar
      Tipo IGBT de
      Estándar
      Configuración
      Estándar
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar
      De entrada
      Estándar
      Termistor NTC
      Estándar
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Estándar
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Estándar
      Corriente de drenaje (Id).
      Estándar
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar
      Resistencia-On (RDS)
      Estándar
      Tensión
      Estándar
      Tensión de salida-salida
      Estándar
      -Tensión Offset (Vt)
      Estándar
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Estándar
      Corriente de Valle Iv)
      Estándar
      Corriente de pico
      Estándar
      Aplicaciones
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      Tipo de Transistor
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      Tipo
      Transistor de efecto de campo
      Condición
      Nuevo
      Paquete
      TO-252AB
      Tipo de transistor
      JFET de canal N

      Embalaje y entrega

      Paquete
      15*10*2cm
      Puerto
      SZ OR HK
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