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      Ransistor de 55 V 49A (c) 94W (c) 44 R44 ran

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      Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.Fabricante personalizado3 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      IRFZ44NPBF
      Tipo
      IGBT Transistor
      Marca
      original
      Tipo de paquete
      Agujero de labranza

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Through Hole
      Descripción
      MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
      Lugar del origen
      California, United States
      PAQUETE/cubierta
      TO-3PL
      Tipo
      Transistor
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 175°C (TJ)
      d/c
      new
      Uso
      N/A
      品名
      IRFZ44NPBF
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      49A (Tc)
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      55 V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      3V @ 800mA, 8A
      Corriente de colector de corte (Max)
      15 A
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      80 @ 1A, 5V
      Poder-Max
      150 W
      -Frecuencia de transición
      30MHz
      Temperatura de funcionamiento
      150°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Resistencia Base (R1)
      N/A
      Resistencia-emisor Base (R2)
      N/A
      FET tipo
      N/A
      FET característica
      N/A
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      230 V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      15 A
      Rds (Max) @ Id Vgs
      10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      17.5mOhm @ 25A, 10V
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      N/A
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      1470 pF @ 25 V
      Frecuencia
      30MHz
      Corriente nominal (en amperios)
      15 A
      Ruido
      N/A
      Potencia de salida
      150 W
      -Tensión nominal
      230 V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      3V
      Vgs (Max)
      N/A
      Tipo IGBT de
      N/A
      Configuración
      Single FETs, MOSFETs
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      80 @ 1A, 5V
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      N/A
      De entrada
      N/A
      Termistor NTC
      N/A
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      N/A
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      N/A
      Corriente de drenaje (Id).
      25A
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      N/A
      Resistencia-On (RDS)
      17.5mOhm @ 25A, 10V
      Tensión
      55 V
      Tensión de salida-salida
      55 V
      -Tensión Offset (Vt)
      55 V
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      N/A
      Corriente de Valle Iv)
      N/A
      Corriente de pico
      49A (Tc)
      Aplicaciones
      N/A
      Tipo de Transistor
      Single FETs, MOSFETs
      Brand
      Original
      Stocking time
      3-5day
      delivery address
      shenzhen
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