Lugar del origen
Jiangsu, China
Tipo de Proveedor
Fabricante Original
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Estándar
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Estándar
Corriente de colector de corte (Max)
Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Estándar
-Frecuencia de transición
Estándar
Temperatura de funcionamiento
Estándar
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
Estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Estándar
Corriente nominal (en amperios)
Estándar
Potencia de salida
Estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Estándar
Corriente de drenaje (Id).
Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Estándar
Resistencia-On (RDS)
Estándar
Tensión de salida-salida
Estándar
-Tensión Offset (Vt)
Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar
Corriente de Valle Iv)
Estándar
Corriente de pico
Estándar
Tipo de
Transistor de efecto de campo
Palabras clave
Irfz44n mosfet
El uso de
Componentes electrónicos
Lugar de origen:
Jiangsu China (continental).
Condición:
Nuevo y no utilizado Original sellado