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IRFP4710 de potencia de Canal N de Transistor Mosfet Transistor de potencia IRFP4710PBF IRFP 100V 72A 190W-247
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
IRFP4710PBF
Marca
Original
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Otros atributos
Lugar del origen
California, United States
PAQUETE/cubierta
TO-247-3
品名
MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
72A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
14mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
6160pF @ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type
Field-Effect Transistor
Model Number
IRFP460PBF
Package
TO-247
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Packing
Tube&Reel&Tray
Embalaje y entrega
Paquete
Tube&Tray&Reel With Standard Package
Puerto
HK
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