Tipo de montaje
Montaje en superficie
Descripción
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de Proveedor
Minorista
Referencia cruzada
IRF7341PBFDKR
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Estándar original
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Igual que el original
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Estándar original
Corriente de colector de corte (Max)
Igual que el original
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Estándar original
-Frecuencia de transición
Igual que el original
Temperatura de funcionamiento
-- 55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
Estándar original
Resistencia-emisor Base (R2)
Igual que el original
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
55V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
4.7A
Rds (Max) @ Id Vgs
50mOhm @ 4.7A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
740pF @ 25V
Frecuencia
Estándar original
Corriente nominal (en amperios)
Igual que el original
-Tensión nominal
Igual que el original
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Estándar original
Vgs (Max)
Igual que el original
Tipo IGBT de
Estándar original
Configuración
2 canales N (dobles)
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar original
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Igual que el original
De entrada
Estándar original
Termistor NTC
Igual que el original
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar original
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Igual que el original
Corriente de drenaje (Id).
Estándar original
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Igual que el original
Resistencia-On (RDS)
Estándar original
Tensión
Igual que el original
Tensión de salida-salida
Estándar original
-Tensión Offset (Vt)
Igual que el original
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar original
Corriente de Valle Iv)
Igual que el original
Corriente de pico
Estándar original
Aplicaciones
Propósito general
Tipo de Transistor
Canal N 2
Número de canales:
1 canal N
Transconductancia hacia adelante-Min:
7,9 S
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Forma de plomo
Ala de gaviota
Peso de unidad:
0,019048 oz