Tipo de montaje
A través del agujero
Descripción
N-CH MOSFET 100V 33A TO220AB
Tipo
Productos de semiconductores discretos Transistor de transistores FET MOSFET Single FET MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C(TJ)
Uso
Motores de corriente continua, inversores, SMPS, iluminación
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
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Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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Temperatura de funcionamiento
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Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET característica
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Tensión de drenador a fuente (Vdss)
33A(Tc)
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
33A(Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
44 miliohmio @ 16A,10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1960pF @ 25V
Corriente nominal (en amperios)
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Potencia de salida
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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Estándar
Corriente de drenaje (Id).
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-Tensión de corte (VGS) @ Id
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Resistencia-On (RDS)
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Tensión de salida-salida
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-Tensión Offset (Vt)
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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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Corriente de Valle Iv)
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Corriente de pico
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Aplicaciones
Controladores de motor, inversores de potencia, convertidores de DC-DC
Tipo de Transistor
Productos de semiconductores discretos Transistor de transistores FET MOSFET Single FET MOSFET