Módulos IGBT LOW POWER ECONO BSM50GX120DN2 Módulos semiconductores discretos

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Shenzhen Xujiaheng Electronics Co., Ltd.1 yr

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Tipo

IGBT módulo

Otros atributos

PAQUETE/cubierta

Módulo

Tipo de montaje

Estándar

Descripción

Módulos IGBT LOW POWER ECONO

Número de Modelo

BSM50GX120DN2

Lugar del origen

China

Marca

Original

Configuración

Puente completo

Tensión Colector-Emisor VCEO Max

1,2 kV

Voltaje de la saturación del Colector-Emisor

2,2 V

Corriente continua del colector en 25 C

50 A

Corriente de fuga Gate-Emisor

300 nA

Pd-Disipación de energía

360 W

Temperatura Betriebs

-40 ° C ~ 125 ° C

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 1000	> 1000
Hora del Est.(días)	3	Para negociar

Descripciones de productos del proveedor

1 - 9 piezas

EUR 49.84

>= 10 piezas

EUR 47.02

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