Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
Guangdong, China
Tipo
MOSFET, Transistor de efecto de campo
Temperatura de funcionamiento
Nulo
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Nulo
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Nulo
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Nulo
Corriente de colector de corte (Max)
Nulo
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Nulo
-Frecuencia de transición
Nulo
Resistencia Base (R1)
Nulo
Resistencia-emisor Base (R2)
Nulo
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Nulo
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Nulo
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Nulo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Nulo
Corriente nominal (en amperios)
Nulo
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Nulo
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Nulo
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Nulo
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Nulo
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Nulo
Corriente de drenaje (Id).
Nulo
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Nulo
Tensión de salida-salida
Nulo
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Nulo
Corriente de Valle Iv)
Nulo
Nombre del producto
Transistor 20N50
Uso
Componentes electrónicos
Condición:
Nuevo y sin usar, original sellado
GARANTÍA DE LA CALIDAD:
365 DÍAS