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      Alta calidad precio barato triodo cristal triodo transistor triodo MMBT3904T

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      Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      2n2222
      Tipo
      IGBT Transistor
      Marca
      original
      Tipo de paquete
      Otros

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      A través del agujero
      Descripción
      Transistor de Igbt
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      SOT523
      Tipo
      Componentes electrónicos
      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ 175 °C (TJ)
      d/c
      ÚLTIMO
      Uso
      Amplificador
      Tipo de Proveedor
      ODM, Fabricante Original, Minorista
      Referencia cruzada
      Por 2n5551
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      TRANSISTOR
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      200mA
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      --
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      --
      Corriente de colector de corte (Max)
      --
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      --
      Poder-Max
      --
      -Frecuencia de transición
      --
      Resistencia Base (R1)
      --
      Resistencia-emisor Base (R2)
      --
      FET tipo
      Canal N
      FET característica
      --
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      30V, 30V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      78A (Tc), 92A (Tc)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      4,8 mOhm @ 40A, 10V, 4,8 mOhm @ 40A, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2,35 V @ 50uA, 2,35 V @ 50uA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      23nC @ 4,5 V, 23nC @ 4,5 V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      2139pF @ 15V
      Frecuencia
      --
      Corriente nominal (en amperios)
      --
      Ruido
      --
      Potencia de salida
      --
      -Tensión nominal
      --
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      4,5 V, 10V
      Vgs (Max)
      ± 20V, ± 20V
      Tipo IGBT de
      --
      Configuración
      --
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      --
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      --
      De entrada
      --
      Termistor NTC
      --
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      --
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      --
      Corriente de drenaje (Id).
      --
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      --
      Resistencia-On (RDS)
      --
      Tensión
      --
      Tensión de salida-salida
      --
      -Tensión Offset (Vt)
      --
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      --
      Corriente de Valle Iv)
      --
      Corriente de pico
      --
      Aplicaciones
      TRANSISTOR
      Tipo de Transistor
      Transistor de poder de mrf150 RF
      Voltaje DE LA Colector-Base
      60V
      Voltaje del Colector-Emisor
      40V
      Emisor-Voltaje de base
      6V
      Corriente del colector
      200mA
      Disipación de potencia
      150mW
      Temperatura de unión
      150 ℃
      Marca
      100% nuevo y orignal
      Garantía de Calidad
      Informe de prueba disponible
      Paquete
      Paquetes originales con etiquetas
      Eficiente
      Entrega rápida

      Embalaje y entrega

      Paquete
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      10 CAJAS = 100K = 1 CTN
      Puerto
      Shenzhen
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