Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
-65 °C ~ 150 °C (TJ), -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Serie
Transistor bipolar único
Uso
Tubo de potencia de salida
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia
Referencia cruzada
MMBT4401LT1G
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
75V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250ua
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3700pF @ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Aplicaciones
Tubo de potencia ultrasónica de alta ampliación
Tipo de Transistor
Transistores bipolares simples
Categorías de Producto
Transistor de alta potencia
Estructura del transistor
NPN
Descripción funcional
Transistor de poder de la conmutación (10A NPN)
Tipo de transistor
Fuente de alimentación universal
Precio
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