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HZWL MBR30100PT 30A 100V TO-247 D882 Transistor Original Transistores Igbt Mosfet Transistor de potencia MBR30100PT
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
MBR30100PT
Tipo
Estándar
Marca
Original brand from HZWL
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Otros atributos
Tipo de montaje
Estándar
Descripción
Estándar
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
Estándar, Embalaje estándar del carrete/de la caja del componente electrónico
Tipo
Estándar, Transistor de IGBT
Temperatura de funcionamiento
Estándar
Serie
Estándar
d/c
Nuevo
Uso
Circuitos del interruptor de poder, comunicación/Electrónica/Iluminación
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, Otros
Referencia cruzada
Pls en contacto con los nuestros
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, Otros
品名
Estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.)
15A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
230V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
3V @ 800mA, 8A
Corriente de colector de corte (Max)
5uA (ICBO)
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
55 @ 1A, 5V, 80
Poder-Max
150W
-Frecuencia de transición
30MHz
Resistencia Base (R1)
Como parámetro
Resistencia-emisor Base (R2)
Como parámetro
FET tipo
{-21-Estándar}
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Como parámetro
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Como parámetro
Rds (Max) @ Id Vgs
Como parámetro
Vgs (th) (Max) @ Id
Como parámetro
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Como parámetro
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Como parámetro
Frecuencia
Estándar original
Corriente nominal (en amperios)
15 A
Ruido
Como parámetro
Potencia de salida
150 vatios
-Tensión nominal
230 voltios
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Como parámetro
Vgs (Max)
Como parámetro
Tipo IGBT de
Como parámetro
Configuración
Tres fases
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Como parámetro
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Estándar original
De entrada
Como parámetro
Termistor NTC
Como parámetro
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Como parámetro
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Como parámetro
Corriente de drenaje (Id).
Como parámetro
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Como parámetro
Resistencia-On (RDS)
Como parámetro
Tensión
Corriente máx. 230 voltios
Tensión de salida-salida
230V
-Tensión Offset (Vt)
Como parámetro
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Como parámetro
Corriente de Valle Iv)
Como parámetro
Corriente de pico
Como parámetro
Aplicaciones
Estándar original
Tipo de Transistor
Transistor de poder audio
Certificado
RoHS
Envío POR
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Calidad
100% original 100% marca
Servicio
24 horas en línea
Pago
Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
Proporcionar
Servicio de lista BOM de ventanilla única
Entregar tiempo
3-5 días laborables
Palabras clave
Transistor
Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
8X8X32 cm
Peso bruto único:
0.952 kg
Plazo de entrega
| Cantidad (piezas) | 1 - 100000 | > 100000 |
| Hora del Est.(días) | 10 | Para negociar |
Personalizacion
YP
Pedido mínimo: 1000000
Para más detalles de personalización, enviar mensaje al proveedor
Descripciones de productos del proveedor
10 - 99 piezas
SAR 0.382
100 - 9999 piezas
SAR 0.3056
>= 10000 piezas
SAR 0.2674
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