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      Montaje en superficie HZWL de alta calidad para MOSFET FET MOSFET de un solo FET

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      Shenzhen Haozhuo Waring Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      SI3127DV-T1-GE3
      Tipo
      Estándar
      Marca
      HZWL
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Estándar
      Descripción
      Estándar
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      SI3127DV-T1-GE3
      Tipo
      MOSFET FET único
      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      Serie
      TrenchFET
      d/c
      Nuevo
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original
      Referencia cruzada
      Otros
      Los medios disponibles
      Otros
      品名
      SI3127DV-T1-GE3
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      3V 250uA
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      4,5 V 10V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      30 nC 10 V
      Corriente de colector de corte (Max)
      833 pF 20 V
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      89mOhm 1.5A, 4,5 V
      Poder-Max
      2W (Ta) 4,2 W (Tc)
      -Frecuencia de transición
      2W (Ta) 4,2 W (Tc)
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      Estándar
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Estándar
      FET tipo
      Canal P
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      ± 20V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Estándar
      Rds (Max) @ Id Vgs
      89mOhm 1.5A 4,5 V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      3V 250uA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      30 nC 10 V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      833 pF 20 V
      Frecuencia
      2W (Ta) 4,2 W (Tc)
      Corriente nominal (en amperios)
      Estándar
      Ruido
      Estándar
      Potencia de salida
      2W (Ta), 4,2 W (Tc)
      -Tensión nominal
      ± 20V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Estándar
      Vgs (Max)
      Estándar
      Tipo IGBT de
      Estándar
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar
      De entrada
      Estándar
      Termistor NTC
      Estándar
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Estándar
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Estándar
      Corriente de drenaje (Id).
      Estándar
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar
      Resistencia-On (RDS)
      Estándar
      Tensión
      Estándar
      Tensión de salida-salida
      Estándar
      -Tensión Offset (Vt)
      Estándar
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Estándar
      Corriente de Valle Iv)
      Estándar
      Corriente de pico
      Estándar
      Aplicaciones
      Estándar
      Tipo de Transistor
      MOSFET FETs individuales
      Skype:
      Wendyxie110288
      Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
      60 V
      Vgs (TH) (Max) Id
      3V 250uA
      Whatsapp y WeChat
      8613580501856
      Corriente-Drenaje continuo (Id)
      25 °C 3.5A (Ta)13A (Tc)
      Estado del producto
      Activo
      Vgs (TH) (Max) Id 3V
      250uA
      Color
      Por standrad
      Vgs (Max)
      ± 20V
      Tipo de montaje
      Montaje en superficie

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Caja
      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      20X20X5 cm
      Peso bruto único:
      0.030 kg
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