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      HZWL FP70N08C 70A 80V Vhf Transistor de potencia Transistores Power Igbt Mosfet Transistor FP70N08C

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      Shenzhen Haozhuo Waring Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      FP70N08C
      Tipo
      Standard
      Marca
      [ { "value": -10, "text": "original", "disabled": false } ]
      Tipo de paquete
      Agujero de labranza

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      standard
      Descripción
      standard
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      standard, Electronic Component Standard Reel/Box Packing
      Tipo
      standard, IGBT Transistor
      Temperatura de funcionamiento
      standard
      Serie
      standard
      d/c
      New
      Uso
      Power Switch Circuits, Communication/Electronics/Lighting
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, Other
      Referencia cruzada
      Pls Contact Ours
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, Other
      品名
      standard
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      15A
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      230V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      3V @ 800mA, 8A
      Corriente de colector de corte (Max)
      5uA (ICBO)
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      55 @ 1A, 5V, 80
      Poder-Max
      150W
      -Frecuencia de transición
      30MHz
      Resistencia Base (R1)
      As Parameter
      Resistencia-emisor Base (R2)
      As Parameter
      FET tipo
      {-21-Standard}
      FET característica
      Carburo de silicio (SiC)
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      As Parameter
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      As Parameter
      Rds (Max) @ Id Vgs
      As Parameter
      Vgs (th) (Max) @ Id
      As Parameter
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      As Parameter
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      As Parameter
      Frecuencia
      Original standard
      Corriente nominal (en amperios)
      15 A
      Ruido
      As Parameter
      Potencia de salida
      150 Watt
      -Tensión nominal
      230 Volts
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      As Parameter
      Vgs (Max)
      As Parameter
      Tipo IGBT de
      As Parameter
      Configuración
      Tres fases
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      As Parameter
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Original standard
      De entrada
      As Parameter
      Termistor NTC
      As Parameter
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      As Parameter
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      As Parameter
      Corriente de drenaje (Id).
      As Parameter
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      As Parameter
      Resistencia-On (RDS)
      As Parameter
      Tensión
      230 Volts Max Current
      Tensión de salida-salida
      230V
      -Tensión Offset (Vt)
      As Parameter
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      As Parameter
      Corriente de Valle Iv)
      As Parameter
      Corriente de pico
      As Parameter
      Aplicaciones
      Original standard
      Tipo de Transistor
      Audio Power Transistor
      certificate
      RoHS
      Shipping BY
      DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
      Quality
      100% Original 100% Brand
      Service
      24 Hours Online
      Payment
      Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
      Provide
      One-stop BOM List Service
      Deliver time
      3-5 working days
      Keywords
      Transistor

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      8X8X32 cm
      Peso bruto único:
      0.952 kg
      Mostrar más

      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 100000 > 100000
      Hora del Est.(días)10Para negociar

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      YP
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