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      HGTG11N120CND 11n120cnd HuanXin IGBT NPT 1200V 43A TO-247 IGBT Transistores HGTG11N120CND 11n120cnd

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      Shenzhen Haotianxing Technology Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      Original
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original
      Tipo de paquete
      Original

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Estándar, Estándar
      Descripción
      TRANSISTOR
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      Estándar
      Tipo
      Transistor, TRANSISTOR
      Temperatura de funcionamiento
      Estándar, Estándar
      Serie
      Original
      d/c
      Nuevo
      Uso
      Estándar
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original
      Referencia cruzada
      Por favor, póngase en contacto con nosotros
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      品名
      Original
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Estándar
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      Estándar
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Estándar
      Corriente de colector de corte (Max)
      Estándar
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Estándar
      Poder-Max
      Estándar
      -Frecuencia de transición
      Estándar
      Temperatura de funcionamiento
      Estándar
      Tipo de Montaje
      Estándar
      Resistencia Base (R1)
      Estándar
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Estándar
      FET tipo
      Estándar
      FET característica
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      Estándar
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Estándar
      Rds (Max) @ Id Vgs
      Estándar
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Estándar
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      Estándar
      Frecuencia
      Estándar
      Corriente nominal (en amperios)
      Estándar
      Ruido
      Estándar
      Potencia de salida
      Estándar
      -Tensión nominal
      Estándar
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Estándar
      Vgs (Max)
      Estándar
      Tipo IGBT de
      Estándar
      Configuración
      Estándar
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar
      De entrada
      Estándar
      Termistor NTC
      Estándar
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Estándar
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Estándar
      Corriente de drenaje (Id).
      Estándar
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar
      Resistencia-On (RDS)
      Estándar
      Tensión
      Estándar
      Tensión de salida-salida
      Estándar
      -Tensión Offset (Vt)
      Estándar
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Estándar
      Corriente de Valle Iv)
      Estándar
      Corriente de pico
      Estándar
      Aplicaciones
      Estándar
      Tipo de Transistor
      IGBT
      Tiempo de plomo
      1-7 días
      Proveedor
      Tecnología Co., Ltd. de Shenzhen Huanxin.
      Embalaje
      Estándar

      Embalaje y entrega

      Paquete
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      Puerto
      Shenzhen
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