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      GaN-on-Sapphire epi-wafer para visualización, Micro-LED verde SSP de 6 pulgadas

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      Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrsCN

      Atributos clave

      Otros atributos

      Lugar del origen
      China
      Marca
      GaNova
      Número de Modelo
      JDWY03-001-038
      Tipo
      GaN oblea
      Type
      Flat Sapphire
      Polish
      Single side polished (SSP) / Double side polished (DSP)
      Dimension
      150 ± 0.2 mm
      Orientation
      C plane (0001) off angle toward M-axis 0.2 ± 0.1°
      Thickness
      1200 ± 25 μm
      Structure
      0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm uGaN
      Dislocation density
      < 5 * 10^8 cm-²
      Roughness (Ra)
      <0.5 nm
      Useable Area
      > 90% (edge and macro defects exclusion)
      Package
      Packaged in a cleanroom in a single wafer container

      Embalaje y entrega

      Paquete
      carton
      Puerto
      Shanghai
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      5 - 24 piezas
      EUR 594.25
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