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Great Brand New SKiM401TMLI12E4B SKiM 4 Trench IGBT Modules 1200 V 400 A SKiM401TMLI12E4B SKIIP IGBT MOSFET

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Shenzhen Mingweida Electronics Co., Ltd.1 yrCN
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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
SKiM401TMLI12E4B
Tipo
IGBT Transistor
Marca
Original
Tipo de paquete
-

Otros atributos

Tipo de montaje
standard
Descripción
standard
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
standard
Tipo
standard
Temperatura de funcionamiento
standard
Serie
standard
d/c
NEW
Uso
Controlador MOSFET
Tipo de Proveedor
Fabricante Original
Referencia cruzada
-
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
standard
Corriente de colector (Ic) (máx.)
standard
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
standard
-Frecuencia de transición
standard
Temperatura de funcionamiento
standard
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
standard
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
--
Vgs (Max)
-
Tipo IGBT de
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
--
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión
-
Tensión de salida-salida
--
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Aplicaciones
-
Tipo de Transistor
-
Part Number
SKiM401TMLI12E4B
Manufacturer
Semikron Danfoss
Quality
Brand New
Lead Time
1-2Days
MOQ
1
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Cantidad (piezas)1 - 1 > 1
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